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技术参数
参数 |
| OSW-2×2BA | |
波长范围 | nm | 650～1310 | 1260～1670 |
测试波长 | nm | 650/780/850/980/1064/1310 | 1310/1490/1550/1625/1650 |
插入损耗 | dB | Typ:1.0,Max:1.2 | Typ:0.8,Max:1.0 |
回波损耗 | dB | ≥30 | ≥50 |
信道串扰 | dB | ≥35 | ≥50 |
偏振相关损耗 | dB | ≤0.05 | |
波长相关损耗 | dB | ≤0.25 | |
温度相关损耗 | dB | ≤0.25 | |
重复性 | dB | ≤±0.02 | |
供应电压 | v | 3.0 or 5.0 | |
工作寿命 | Cycle | ≥107 | |
切换时间 | ms | ≤8 | |
传输光功率 | mW | ≤500 | |
工作温度 | ℃ | -40～+85 | |
存储温度 | ℃ | -40～+85 | |
重量 | g | 16 | |
尺寸 | mm | (L)55×(W)26×(H)10.8(±0.2) | |
◇ 光学路线
◇ 引脚配置
2×2BA | 光路 | 条件 | 传感器状态 | |
| Pin 1 | Pin 2 | Pin3- Pin4 | |
非锁定 | P1-P3 | GND | GND | 断开 |
P1-P4 P2-P3 | V+ | GND | 连接 | |
2×2BA | 光路 | 条件 | |||
| PIN1 | PIN2 | Pin3 | Pin4 | |
锁定 | P1-P3 | V+ | GND | -- | -- |
P1-P4 P2-P3 | -- | -- | GND | V+ | |
◇电气规格
| 电压 | 电流 | 电阻 |
5V 锁定 | 4.5~5.5 | 36~44mA | 125Ω |
5V 非锁定 | 4.5~5.5 | 26~32mA | 175Ω |
3V 锁定 | 2.7~3.3 | 54~66mA | 50Ω |
3V 非锁定 | 2.7~3.3 | 39~47mA | 70Ω |
◇ 外形尺寸
◇ 订购信息：OSW－2×2BA－A－B－C－D－E－F－G
A | B | C | D | E | F | G |
型号 | 测试波长 | 电压 | 控制类型 | 光纤直径 | 光纤长度 | 连接器 |
SM:9/125um M5: 50/125um M6: 62.5/125um | 85: 850nm 13: 1310nm 14: 1490nm 15: 1550nm 162: 1625nm 165: 1650nm 13/15:1310/1550nm | 3: 3V 5: 5V | L: Latching N:Non-Latching | 25:250um 90:900um 20:2.0mm 30: 3.0mm | 05:0.5m 10:1.0m 15:1.5m | OO:None FP: FC/PC FA: FC/APC SP: SC/PC SA: SC/APC LP: LC/PC LA: LC/APC |
